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理想最近在日本发了一篇论文,这次不是在SoC芯片领域而是在碳化硅领域。前几个月,发了一条信息,就是理想在SiC器件层面做了深度自研设计,采用正六边形元胞设计替代传统条形元胞,优化电子通道分布,提升电流能力15%并增强可靠性。 量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。理想这边采用的六边形元胞SiC的导通电阻更小,导通面积更大,可靠性更好。缺点是开关损失增加,而且生产工艺与以往通用化的工业SiC的不同,所以以前SiC产品很少采用。 理想这边发的论文,是围绕1.2kV SiC MOSFET ,明确了外延层中的“坑洞状缺陷”才是引发失效的关键根因。这些微观缺陷虽不影响初始性能,却会引起局部结构畸变,导致电场集中,从而提前发生雪崩击穿,构建起从缺陷 → 电场畸变 → 击穿失效的完整机制链条。从实际的生产逻辑中,理想还提出了一套兼顾效率与成本的筛选方案:通过 BVDSS 电压分布与缺陷复查联动筛查异常芯片,完成实测验证,失效率下降近一个数量级,可靠性显著提升。
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